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Artigo de periodico
Electronic and magnetic properties of Mn-doped InP nanowires from first principles (2006)
Schmidt, T M; Venezuela, P; Arantes Junior, Jeverson Teodoro; Fazzio, Adalberto
Source: Physical Review B. Unidade: IF
Subjects: MATÉRIA CONDENSADA, ESTRUTURA ELETRÔNICA, PROPRIEDADES DOS MATERIAIS, SEMICONDUTORES, FERROMAGNETISMO
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ABNT
SCHMIDT, T M et al. Electronic and magnetic properties of Mn-doped InP nanowires from first principles. Physical Review B, v. 73, n. 23, p. 235330, 2006Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1103/physrevb.73.235330. Acesso em: 14 maio 2024.
APA
Schmidt, T. M., Venezuela, P., Arantes Junior, J. T., & Fazzio, A. (2006). Electronic and magnetic properties of Mn-doped InP nanowires from first principles. Physical Review B, 73( 23), 235330. doi:10.1103/physrevb.73.235330
NLM
Schmidt TM, Venezuela P, Arantes Junior JT, Fazzio A. Electronic and magnetic properties of Mn-doped InP nanowires from first principles [Internet]. Physical Review B. 2006 ; 73( 23): 235330.[citado 2024 maio 14 ] Available from: https://doi.org/10.1103/physrevb.73.235330
Vancouver
Schmidt TM, Venezuela P, Arantes Junior JT, Fazzio A. Electronic and magnetic properties of Mn-doped InP nanowires from first principles [Internet]. Physical Review B. 2006 ; 73( 23): 235330.[citado 2024 maio 14 ] Available from: https://doi.org/10.1103/physrevb.73.235330
Artigo de periodico
Stability and electronic confinement of free-standing InP nanowires: Ab initio calculations (2005)
Schmidt, T M; Miwa, R H; Venezuela, P; Fazzio, Adalberto
Source: Physical Review B. Unidade: IF
Subjects: MATÉRIA CONDENSADA, FOTOLUMINESCÊNCIA, ESTRUTURA ELETRÔNICA
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ABNT
SCHMIDT, T M et al. Stability and electronic confinement of free-standing InP nanowires: Ab initio calculations. Physical Review B, v. 72, n. 19, p. 193404/1-193404/4, 2005Tradução . . Acesso em: 14 maio 2024.
APA
Schmidt, T. M., Miwa, R. H., Venezuela, P., & Fazzio, A. (2005). Stability and electronic confinement of free-standing InP nanowires: Ab initio calculations. Physical Review B, 72( 19), 193404/1-193404/4.
NLM
Schmidt TM, Miwa RH, Venezuela P, Fazzio A. Stability and electronic confinement of free-standing InP nanowires: Ab initio calculations. Physical Review B. 2005 ; 72( 19): 193404/1-193404/4.[citado 2024 maio 14 ]
Vancouver
Schmidt TM, Miwa RH, Venezuela P, Fazzio A. Stability and electronic confinement of free-standing InP nanowires: Ab initio calculations. Physical Review B. 2005 ; 72( 19): 193404/1-193404/4.[citado 2024 maio 14 ]
Trabalho de evento-resumo
Carbon in 'Si IND.X' 'Ge IND.1-X': an ab initio investigation (2004)
Venezuela, P; Miwa, Roberto Hiroki; Fazzio, Adalberto
Source: Resumos. Conference titles: Encontro Nacional de Fisica da Materia Condensada. Unidade: IF
Subjects: MATÉRIA CONDENSADA, SEMICONDUTORES
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ABNT
VENEZUELA, P e MIWA, Roberto Hiroki e FAZZIO, Adalberto. Carbon in 'Si IND.X' 'Ge IND.1-X': an ab initio investigation. 2004, Anais.. São Paulo: SBF, 2004. Disponível em: http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/enfmc/xxvii/sys/resumos/R0750-1.pdf. Acesso em: 14 maio 2024.
APA
Venezuela, P., Miwa, R. H., & Fazzio, A. (2004). Carbon in 'Si IND.X' 'Ge IND.1-X': an ab initio investigation. In Resumos. São Paulo: SBF. Recuperado de http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/enfmc/xxvii/sys/resumos/R0750-1.pdf
NLM
Venezuela P, Miwa RH, Fazzio A. Carbon in 'Si IND.X' 'Ge IND.1-X': an ab initio investigation [Internet]. Resumos. 2004 ;[citado 2024 maio 14 ] Available from: http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/enfmc/xxvii/sys/resumos/R0750-1.pdf
Vancouver
Venezuela P, Miwa RH, Fazzio A. Carbon in 'Si IND.X' 'Ge IND.1-X': an ab initio investigation [Internet]. Resumos. 2004 ;[citado 2024 maio 14 ] Available from: http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/enfmc/xxvii/sys/resumos/R0750-1.pdf
Artigo de periodico
Theoretical investigation of extended defects and their interactions with vacancies in 'Si IND.X' 'Ge IND.1-X' (2003)
Miwa, R H; Venezuela, P; Fazzio, Adalberto
Source: Physical Review B. Unidade: IF
Assunto: ESTRUTURA ELETRÔNICA
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ABNT
MIWA, R H e VENEZUELA, P e FAZZIO, Adalberto. Theoretical investigation of extended defects and their interactions with vacancies in 'Si IND.X' 'Ge IND.1-X'. Physical Review B, v. 67, n. 20, p. 205317/1-205317, 2003Tradução . . Disponível em: http://ojps.aip.org/getpdf/servlet/GetPDFServlet?filetype=pdf&id=PRBMDO000067000020205317000001&idtype=cvips. Acesso em: 14 maio 2024.
APA
Miwa, R. H., Venezuela, P., & Fazzio, A. (2003). Theoretical investigation of extended defects and their interactions with vacancies in 'Si IND.X' 'Ge IND.1-X'. Physical Review B, 67( 20), 205317/1-205317. Recuperado de http://ojps.aip.org/getpdf/servlet/GetPDFServlet?filetype=pdf&id=PRBMDO000067000020205317000001&idtype=cvips
NLM
Miwa RH, Venezuela P, Fazzio A. Theoretical investigation of extended defects and their interactions with vacancies in 'Si IND.X' 'Ge IND.1-X' [Internet]. Physical Review B. 2003 ; 67( 20): 205317/1-205317.[citado 2024 maio 14 ] Available from: http://ojps.aip.org/getpdf/servlet/GetPDFServlet?filetype=pdf&id=PRBMDO000067000020205317000001&idtype=cvips
Vancouver
Miwa RH, Venezuela P, Fazzio A. Theoretical investigation of extended defects and their interactions with vacancies in 'Si IND.X' 'Ge IND.1-X' [Internet]. Physical Review B. 2003 ; 67( 20): 205317/1-205317.[citado 2024 maio 14 ] Available from: http://ojps.aip.org/getpdf/servlet/GetPDFServlet?filetype=pdf&id=PRBMDO000067000020205317000001&idtype=cvips
Trabalho de evento-resumo
Stacking faults and vacancies in 'Si IND.X' 'Ge IND.1-X' (2003)
Miwa, R H; Venezuela, P; Fazzio, Adalberto
Source: Book of Abstracts. Conference titles: Brazilian Workshop on Semiconductor Physics. Unidade: IF
Assunto: ESTRUTURA ELETRÔNICA
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ABNT
MIWA, R H e VENEZUELA, P e FAZZIO, Adalberto. Stacking faults and vacancies in 'Si IND.X' 'Ge IND.1-X'. 2003, Anais.. Fortaleza: DF/UFC, 2003. . Acesso em: 14 maio 2024.
APA
Miwa, R. H., Venezuela, P., & Fazzio, A. (2003). Stacking faults and vacancies in 'Si IND.X' 'Ge IND.1-X'. In Book of Abstracts. Fortaleza: DF/UFC.
NLM
Miwa RH, Venezuela P, Fazzio A. Stacking faults and vacancies in 'Si IND.X' 'Ge IND.1-X'. Book of Abstracts. 2003 ;[citado 2024 maio 14 ]
Vancouver
Miwa RH, Venezuela P, Fazzio A. Stacking faults and vacancies in 'Si IND.X' 'Ge IND.1-X'. Book of Abstracts. 2003 ;[citado 2024 maio 14 ]
Trabalho de evento-resumo
Vacancy-mediated diffusion in disordered alloys: Ge self-diffusion in 'Si IND.1-X' 'Ge IND.X' (2002)
Venezuela, P; Dalpian, G M; Silva, Antonio Jose Roque da; Fazzio, Adalberto
Source: Resumos. Conference titles: Encontro Nacional de Física da Matéria Condensada. Unidade: IF
Assunto: SEMICONDUTORES
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ABNT
VENEZUELA, P et al. Vacancy-mediated diffusion in disordered alloys: Ge self-diffusion in 'Si IND.1-X' 'Ge IND.X'. 2002, Anais.. São Paulo: SBF, 2002. . Acesso em: 14 maio 2024.
APA
Venezuela, P., Dalpian, G. M., Silva, A. J. R. da, & Fazzio, A. (2002). Vacancy-mediated diffusion in disordered alloys: Ge self-diffusion in 'Si IND.1-X' 'Ge IND.X'. In Resumos. São Paulo: SBF.
NLM
Venezuela P, Dalpian GM, Silva AJR da, Fazzio A. Vacancy-mediated diffusion in disordered alloys: Ge self-diffusion in 'Si IND.1-X' 'Ge IND.X'. Resumos. 2002 ;[citado 2024 maio 14 ]
Vancouver
Venezuela P, Dalpian GM, Silva AJR da, Fazzio A. Vacancy-mediated diffusion in disordered alloys: Ge self-diffusion in 'Si IND.1-X' 'Ge IND.X'. Resumos. 2002 ;[citado 2024 maio 14 ]
Artigo de periodico
Vacancy-mediated diffusion in disordered alloys: Ge self-diffusion in 'Si IND.1-X' 'Ge IND.X' (2002)
Venezuela, P; Dalpian, G M; Silva, Antonio Jose Roque da; Fazzio, Adalberto
Source: Physical Review B. Unidade: IF
Subjects: MATÉRIA CONDENSADA, FENÔMENO DE TRANSPORTE
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ABNT
VENEZUELA, P et al. Vacancy-mediated diffusion in disordered alloys: Ge self-diffusion in 'Si IND.1-X' 'Ge IND.X'. Physical Review B, v. 65, n. 19, p. 193306/1-193306/ , 2002Tradução . . Acesso em: 14 maio 2024.
APA
Venezuela, P., Dalpian, G. M., Silva, A. J. R. da, & Fazzio, A. (2002). Vacancy-mediated diffusion in disordered alloys: Ge self-diffusion in 'Si IND.1-X' 'Ge IND.X'. Physical Review B, 65( 19), 193306/1-193306/ .
NLM
Venezuela P, Dalpian GM, Silva AJR da, Fazzio A. Vacancy-mediated diffusion in disordered alloys: Ge self-diffusion in 'Si IND.1-X' 'Ge IND.X'. Physical Review B. 2002 ; 65( 19): 193306/1-193306/ .[citado 2024 maio 14 ]
Vancouver
Venezuela P, Dalpian GM, Silva AJR da, Fazzio A. Vacancy-mediated diffusion in disordered alloys: Ge self-diffusion in 'Si IND.1-X' 'Ge IND.X'. Physical Review B. 2002 ; 65( 19): 193306/1-193306/ .[citado 2024 maio 14 ]
Trabalho de evento-resumo
Vacancy-mediated diffusion in disordered alloys: Ge self-diffusion in 'Si IND.1-X' 'Ge IND.X' (2002)
Venezuela, P; Dalpian, G M; Silva, Antonio Jose Roque da; Fazzio, Adalberto
Source: Programa e Livro de Resumos. Conference titles: Encontro da Sociedade Brasileira de Pesquisa em Materiais. Unidade: IF
Subjects: MATERIAIS, SEMICONDUTORES
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ABNT
VENEZUELA, P et al. Vacancy-mediated diffusion in disordered alloys: Ge self-diffusion in 'Si IND.1-X' 'Ge IND.X'. 2002, Anais.. Rio de Janeiro: SBPMat, 2002. . Acesso em: 14 maio 2024.
APA
Venezuela, P., Dalpian, G. M., Silva, A. J. R. da, & Fazzio, A. (2002). Vacancy-mediated diffusion in disordered alloys: Ge self-diffusion in 'Si IND.1-X' 'Ge IND.X'. In Programa e Livro de Resumos. Rio de Janeiro: SBPMat.
NLM
Venezuela P, Dalpian GM, Silva AJR da, Fazzio A. Vacancy-mediated diffusion in disordered alloys: Ge self-diffusion in 'Si IND.1-X' 'Ge IND.X'. Programa e Livro de Resumos. 2002 ;[citado 2024 maio 14 ]
Vancouver
Venezuela P, Dalpian GM, Silva AJR da, Fazzio A. Vacancy-mediated diffusion in disordered alloys: Ge self-diffusion in 'Si IND.1-X' 'Ge IND.X'. Programa e Livro de Resumos. 2002 ;[citado 2024 maio 14 ]
Artigo de periodico
Ab initio studies of the 'Si IND.1-X' 'Ge IND.X' alloy and its intrinsic defects (2001)
Venezuela, P; Silva, Antonio Jose Roque da; Silva, Cesar da; Dalpian, G. M.; Fazzio, Adalberto
Source: Computational Materials Science. Unidade: IF
Subjects: SEMICONDUTORES, SISTEMAS DINÂMICOS, ESTABILIDADE DE SISTEMAS
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ABNT
VENEZUELA, P et al. Ab initio studies of the 'Si IND.1-X' 'Ge IND.X' alloy and its intrinsic defects. Computational Materials Science, v. 22, n. 1-2, p. 62-66, 2001Tradução . . Acesso em: 14 maio 2024.
APA
Venezuela, P., Silva, A. J. R. da, Silva, C. da, Dalpian, G. M., & Fazzio, A. (2001). Ab initio studies of the 'Si IND.1-X' 'Ge IND.X' alloy and its intrinsic defects. Computational Materials Science, 22( 1-2), 62-66.
NLM
Venezuela P, Silva AJR da, Silva C da, Dalpian GM, Fazzio A. Ab initio studies of the 'Si IND.1-X' 'Ge IND.X' alloy and its intrinsic defects. Computational Materials Science. 2001 ; 22( 1-2): 62-66.[citado 2024 maio 14 ]
Vancouver
Venezuela P, Silva AJR da, Silva C da, Dalpian GM, Fazzio A. Ab initio studies of the 'Si IND.1-X' 'Ge IND.X' alloy and its intrinsic defects. Computational Materials Science. 2001 ; 22( 1-2): 62-66.[citado 2024 maio 14 ]
Artigo de periodico
Ab initio determination of the atomistic structure of 'Si IND.X' 'Ge IND.1-X' alloy (2001)
Venezuela, P; Dalpian, G. M.; Silva, Antonio Jose Roque da; Fazzio, Adalberto
Source: Physical Review B. Unidade: IF
Subjects: SEMICONDUTORES, ESTRUTURA ELETRÔNICA, ESTRUTURA DOS SÓLIDOS
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
VENEZUELA, P et al. Ab initio determination of the atomistic structure of 'Si IND.X' 'Ge IND.1-X' alloy. Physical Review B, v. 64, n. 19, p. 3202/1-3202/4, 2001Tradução . . Disponível em: http://ojps.aip.org/getpdf/servlet/GetPDFServlet?filetype=pdf&id=PRBMDO000064000019193202000001&idtype=cvips. Acesso em: 14 maio 2024.
APA
Venezuela, P., Dalpian, G. M., Silva, A. J. R. da, & Fazzio, A. (2001). Ab initio determination of the atomistic structure of 'Si IND.X' 'Ge IND.1-X' alloy. Physical Review B, 64( 19), 3202/1-3202/4. Recuperado de http://ojps.aip.org/getpdf/servlet/GetPDFServlet?filetype=pdf&id=PRBMDO000064000019193202000001&idtype=cvips
NLM
Venezuela P, Dalpian GM, Silva AJR da, Fazzio A. Ab initio determination of the atomistic structure of 'Si IND.X' 'Ge IND.1-X' alloy [Internet]. Physical Review B. 2001 ; 64( 19): 3202/1-3202/4.[citado 2024 maio 14 ] Available from: http://ojps.aip.org/getpdf/servlet/GetPDFServlet?filetype=pdf&id=PRBMDO000064000019193202000001&idtype=cvips
Vancouver
Venezuela P, Dalpian GM, Silva AJR da, Fazzio A. Ab initio determination of the atomistic structure of 'Si IND.X' 'Ge IND.1-X' alloy [Internet]. Physical Review B. 2001 ; 64( 19): 3202/1-3202/4.[citado 2024 maio 14 ] Available from: http://ojps.aip.org/getpdf/servlet/GetPDFServlet?filetype=pdf&id=PRBMDO000064000019193202000001&idtype=cvips
Artigo de periodico
Theoretical investigation of the pressure induced cubic-diamond-'beta'-tin phase transition in the 'Si IND.0.5''Ge IND.0.5' (2001)
Silva, Cesar R S da; Venezuela, P; Silva, Antonio Jose Roque da; Fazzio, Adalberto
Source: Solid State Communications. Unidade: IF
Subjects: SEMICONDUTORES, SUPERCONDUTIVIDADE, MUDANÇA DE FASE
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
SILVA, Cesar R S da et al. Theoretical investigation of the pressure induced cubic-diamond-'beta'-tin phase transition in the 'Si IND.0.5''Ge IND.0.5'. Solid State Communications, v. 120, n. 9-10, p. 369-373, 2001Tradução . . Disponível em: http://www.sciencedirect.com/science?_ob=JournalURL&_cdi=5545&_auth=y&_acct=C000049650&_version=1&_urlVersion=0&_userid=972067&md5=2c31626c8839eda088d08d3a1744c13b. Acesso em: 14 maio 2024.
APA
Silva, C. R. S. da, Venezuela, P., Silva, A. J. R. da, & Fazzio, A. (2001). Theoretical investigation of the pressure induced cubic-diamond-'beta'-tin phase transition in the 'Si IND.0.5''Ge IND.0.5'. Solid State Communications, 120( 9-10), 369-373. Recuperado de http://www.sciencedirect.com/science?_ob=JournalURL&_cdi=5545&_auth=y&_acct=C000049650&_version=1&_urlVersion=0&_userid=972067&md5=2c31626c8839eda088d08d3a1744c13b
NLM
Silva CRS da, Venezuela P, Silva AJR da, Fazzio A. Theoretical investigation of the pressure induced cubic-diamond-'beta'-tin phase transition in the 'Si IND.0.5''Ge IND.0.5' [Internet]. Solid State Communications. 2001 ; 120( 9-10): 369-373.[citado 2024 maio 14 ] Available from: http://www.sciencedirect.com/science?_ob=JournalURL&_cdi=5545&_auth=y&_acct=C000049650&_version=1&_urlVersion=0&_userid=972067&md5=2c31626c8839eda088d08d3a1744c13b
Vancouver
Silva CRS da, Venezuela P, Silva AJR da, Fazzio A. Theoretical investigation of the pressure induced cubic-diamond-'beta'-tin phase transition in the 'Si IND.0.5''Ge IND.0.5' [Internet]. Solid State Communications. 2001 ; 120( 9-10): 369-373.[citado 2024 maio 14 ] Available from: http://www.sciencedirect.com/science?_ob=JournalURL&_cdi=5545&_auth=y&_acct=C000049650&_version=1&_urlVersion=0&_userid=972067&md5=2c31626c8839eda088d08d3a1744c13b
Trabalho de evento-anais periodico
Ab initio study of group V elements in amorphous silicon (1998)
Fazzio, Adalberto; Venezuela, P
Source: Journal Non-Crystalline Solids. Conference titles: International Conference on Amorphous and Microcrystalline Semiconductors - Science and Technology - ICAMS. Unidade: IF
Assunto: QUÍMICA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
FAZZIO, Adalberto e VENEZUELA, P. Ab initio study of group V elements in amorphous silicon. Journal Non-Crystalline Solids. Amsterdam: North-Holland. . Acesso em: 14 maio 2024. , 1998
APA
Fazzio, A., & Venezuela, P. (1998). Ab initio study of group V elements in amorphous silicon. Journal Non-Crystalline Solids. Amsterdam: North-Holland.
NLM
Fazzio A, Venezuela P. Ab initio study of group V elements in amorphous silicon. Journal Non-Crystalline Solids. 1998 ; 227-230 372-375.[citado 2024 maio 14 ]
Vancouver
Fazzio A, Venezuela P. Ab initio study of group V elements in amorphous silicon. Journal Non-Crystalline Solids. 1998 ; 227-230 372-375.[citado 2024 maio 14 ]
Trabalho de evento-resumo
Ab anitio study of group v elements in amorphous silicon and germanium (1996)
Venezuela, P; Fazzio, A
Source: Resumos. Conference titles: Encontro Nacional de Fisica da Materia Condensada. Unidade: IF
Subjects: MATÉRIA CONDENSADA, MATÉRIA CONDENSADA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
VENEZUELA, P e FAZZIO, A. Ab anitio study of group v elements in amorphous silicon and germanium. 1996, Anais.. São Paulo: Sociedade Brasileira de Fisica, 1996. . Acesso em: 14 maio 2024.
APA
Venezuela, P., & Fazzio, A. (1996). Ab anitio study of group v elements in amorphous silicon and germanium. In Resumos. São Paulo: Sociedade Brasileira de Fisica.
NLM
Venezuela P, Fazzio A. Ab anitio study of group v elements in amorphous silicon and germanium. Resumos. 1996 ;[citado 2024 maio 14 ]
Vancouver
Venezuela P, Fazzio A. Ab anitio study of group v elements in amorphous silicon and germanium. Resumos. 1996 ;[citado 2024 maio 14 ]

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